三星表示， Grandis將并入三星研發(fā)部門，專注于下一代存儲技術的開發(fā)，評估新半導體材料和結構的長期商用價值。三星稱Grandis將為其存儲技術研發(fā)做出貢獻，并將成為三星全球研發(fā)網(wǎng)絡的關鍵部分。
Grandis成立于2002年，主要開發(fā)SST-RAM(自旋轉移力矩隨機存取存儲器)存儲芯片技術，該技術據(jù)稱融合了DRAM的成本優(yōu)勢、SRAM的快速讀取性能以及閃存的不易揮發(fā)性。
2010年6月，Grandis升級其產品路線圖，計劃以其下一代MRAM芯片取代DRAM，并最終取代NAND閃存。SST-RAM為第二代MRAM技術，它可以解決部分由傳統(tǒng)MRAM結構引起的問題。
多年來，MRAM和下一代存儲技術開發(fā)者一直表示，其開發(fā)的技術將最終取代目前的存儲技術，但是直到現(xiàn)在，DRAM和NAND仍舊是主流存儲技術，尚未被取代。
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