東芝（Toshiba）企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)在中國(guó)鮮有聲音，而筆者今天在中國(guó)國(guó)際云計(jì)算展會(huì)上了解到，東芝不僅密切關(guān)注全閃存，同時(shí)自己也是全閃存數(shù)據(jù)中心的踐行者，著實(shí)意外。
東芝企業(yè)級(jí)硬盤產(chǎn)品銷售經(jīng)理馬光文表示，大數(shù)據(jù)給傳統(tǒng)硬盤技術(shù)帶來(lái)了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，要從大數(shù)據(jù)中獲得價(jià)值就需要實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)分析，而傳統(tǒng)硬盤在滿足這些需求方面越來(lái)越乏力。
從2000年到2010年的10年間，硬盤面密度增長(zhǎng)40%，而2010年到2020年，增長(zhǎng)幅度僅為10%。硬盤變得越來(lái)越“冷”：到2020年高達(dá)92%的硬盤都被作為近線存儲(chǔ)和冷存儲(chǔ)。
因此我們不可避免地看到，NAND閃存供應(yīng)量持續(xù)擴(kuò)大，傳統(tǒng)硬盤（HDD）開始被更多地用于近線存儲(chǔ)和冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。而內(nèi)存計(jì)算的出現(xiàn)，加劇了這個(gè)趨勢(shì)，“當(dāng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)加快的時(shí)候，就會(huì)遇到很多需要克服的瓶頸。”
從技術(shù)演化的角度，東芝認(rèn)為閃存容量擴(kuò)大而成本下滑，它更加靠近DRAM，MRAM在內(nèi)存計(jì)算中越來(lái)越完善，再加上分層存儲(chǔ)架構(gòu)中潛藏多處瓶頸日益凸顯，這些因素最終促使著閃存成為存儲(chǔ)分層的“終結(jié)者”。
從整個(gè)云ICT結(jié)構(gòu)來(lái)看，大數(shù)據(jù)“存儲(chǔ)即服務(wù)”朝著深度分析方向發(fā)展，而內(nèi)存計(jì)算則提供了實(shí)時(shí)分析，兩個(gè)維度結(jié)合形成數(shù)據(jù)挖掘的所謂數(shù)據(jù)科學(xué)統(tǒng)計(jì)分析。
事實(shí)上東芝不僅向外部推出的全SS配置的室內(nèi)模塊化數(shù)據(jù)中心，而它自己也是全閃存數(shù)據(jù)中心的“踐行者”。
在日本三鷹市，東芝建有一座中等規(guī)模的數(shù)據(jù)中心，通過(guò)將全部180個(gè)機(jī)架、總共73PB存儲(chǔ)容量轉(zhuǎn)為全閃存，使整個(gè)數(shù)據(jù)中心占地空間節(jié)約近一半，能耗降低40%。
展望未來(lái)，東芝預(yù)測(cè)全閃存數(shù)據(jù)中心將在2018年實(shí)現(xiàn)，HDD相對(duì)NAND閃存的成本優(yōu)勢(shì)將在2020年發(fā)生扭轉(zhuǎn)。
