半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺積電北美技術(shù)論壇于美國時(shí)間4月26日登場，為全球技術(shù)論壇揭開序幕，三星此時(shí)放話制程技術(shù)將在5年內(nèi)超越臺積電，較勁意味濃厚; 但臺積電2納米制程預(yù)計(jì)如期于2025年量產(chǎn)，距離現(xiàn)在不到2年8個(gè)月，顯示三星的制程技術(shù)能否如愿在5年內(nèi)超越臺積電有待觀察。
韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，三星半導(dǎo)體事業(yè)主管慶桂顯說，三星的晶圓代工技術(shù)落后臺積電1~2年，不過一旦臺積電加入2納米競賽，三星將領(lǐng)先臺積電。
臺經(jīng)院產(chǎn)經(jīng)資料庫研究員暨總監(jiān)劉佩真表示，三星去年6月就宣布3納米制程導(dǎo)入環(huán)繞閘極(GAA)架構(gòu)，因良率提升速度較預(yù)期緩慢，三星3納米爭取到的客戶訂單極為有限。
劉佩真說，透過降價(jià)搶單策略，傳出三星分食到超威或Google部分4奈米訂單，不過這些大客戶仍主要由臺積電代工生產(chǎn)，因?yàn)榕_積電先進(jìn)制程良率穩(wěn)定度及整體表現(xiàn)都優(yōu)于三星。
她進(jìn)一步分析，臺積電囊括全球晶圓代工市場高達(dá)58.5%的市占率，遠(yuǎn)高于三星的15.8%，三星想彎道超車臺積電，仍有一大段距離。
臺積電北美技術(shù)論壇于美國時(shí)間4月26日登場，與臺積電較勁意味濃厚。 半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，三星過去曾多次喊話制程技術(shù)將超越臺積電，不過，從高通與英偉達(dá)等國際芯片大廠紛紛擴(kuò)大臺積電先進(jìn)制程代工情況來看，臺積電先進(jìn)制程良率等各面向，仍相對具競爭力。
