半導體業(yè)者認為，臺積電北美技術(shù)論壇于美國時間4月26日登場，為全球技術(shù)論壇揭開序幕，三星此時放話制程技術(shù)將在5年內(nèi)超越臺積電，較勁意味濃厚; 但臺積電2納米制程預計如期于2025年量產(chǎn)，距離現(xiàn)在不到2年8個月，顯示三星的制程技術(shù)能否如愿在5年內(nèi)超越臺積電有待觀察。
韓國經(jīng)濟日報報道，三星半導體事業(yè)主管慶桂顯說，三星的晶圓代工技術(shù)落后臺積電1~2年，不過一旦臺積電加入2納米競賽，三星將領(lǐng)先臺積電。
臺經(jīng)院產(chǎn)經(jīng)資料庫研究員暨總監(jiān)劉佩真表示，三星去年6月就宣布3納米制程導入環(huán)繞閘極(GAA)架構(gòu)，因良率提升速度較預期緩慢，三星3納米爭取到的客戶訂單極為有限。
劉佩真說，透過降價搶單策略，傳出三星分食到超威或Google部分4奈米訂單，不過這些大客戶仍主要由臺積電代工生產(chǎn)，因為臺積電先進制程良率穩(wěn)定度及整體表現(xiàn)都優(yōu)于三星。
她進一步分析，臺積電囊括全球晶圓代工市場高達58.5%的市占率，遠高于三星的15.8%，三星想彎道超車臺積電，仍有一大段距離。
臺積電北美技術(shù)論壇于美國時間4月26日登場，與臺積電較勁意味濃厚。 半導體業(yè)者認為，三星過去曾多次喊話制程技術(shù)將超越臺積電，不過，從高通與英偉達等國際芯片大廠紛紛擴大臺積電先進制程代工情況來看，臺積電先進制程良率等各面向，仍相對具競爭力。
