　　韓國(guó)三星在2023年6月底正式宣布量產(chǎn)了第一代3nm GAA制程技術(shù)，這也是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)，打破了FinFET原有的性能限制，藉由降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比，同時(shí)還透過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流來(lái)提升芯片性能。如今，根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，三星將進(jìn)一步介紹的第二代3nm制程技術(shù)，其效能將較第一代3nm制程技術(shù)有所優(yōu)化。

　　報(bào)道指出，2023年VLSI技術(shù)和電路研討會(huì)將于2023年6月11至16日在日本京都舉行。而根據(jù)官方預(yù)告，三星將介紹名為SF3的第二代3nm制程技術(shù)，該制程技術(shù)預(yù)計(jì)將使用第二代 MBCFET架構(gòu)，在第一代3nm GAA(SF3E)基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的優(yōu)化。

　　根據(jù)三星表示，與4nm低功耗制程技術(shù)(SF4)相較，第二代3nm制程技術(shù)在相同功率和晶體管數(shù)量下，運(yùn)算效能提高了22%，在相同頻率和復(fù)雜性下的功耗降低了34%，娉驗(yàn)面積縮小了21%。不過(guò)，三星并沒有將其 SF3 與 SF3E 進(jìn)行比較，也沒有關(guān)于 SRAM 和模擬電路縮放方面的數(shù)據(jù)。

　　事實(shí)上，與傳統(tǒng) FinFET 技術(shù)相較，GAA 技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)之一是泄漏電流減少。另外，通道厚度可以調(diào)整，以提高性能或降低功耗。三星表示，第二代3nm制程技術(shù)提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性，使用不同寬度的MCFET。而第二代3nm制程技術(shù)，三星方面表示，將有機(jī)會(huì)在2024年與臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)上展開競(jìng)爭(zhēng)。

　　先前，三星集團(tuán)旗下設(shè)備解決方案部門總裁慶桂顯在媒體訪問時(shí)坦承，其半導(dǎo)體制程上落后于臺(tái)積電。不過(guò)，他認(rèn)為三星更早地采用GAA晶體管技術(shù)是一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)5年內(nèi)可以達(dá)成超越臺(tái)積電的目標(biāo)。

　　報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，三星目前也還在改進(jìn)其4nm制程技術(shù)，目標(biāo)是透過(guò)SF4P(4LPP+)縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距，預(yù)計(jì)會(huì)在2023年下半年量產(chǎn)。此外，三星還計(jì)劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC)。不過(guò)，在幾乎同一時(shí)間，臺(tái)積電也會(huì)帶來(lái)名為N3P的增強(qiáng)型3nm制程技術(shù)。因此，屆時(shí)的競(jìng)爭(zhēng)究竟誰(shuí)能勝出，目前還猶未可知。