首頁 > 1月10日消息，知情人士透露，為2012年做準備的TD-LTE雙模終端芯片的MTnet測試已結束，包括聯(lián)芯科技等在內的3家廠商通過了測試，即將參加第二階段的TD-LTE規(guī)模技術試驗，今年預計將把TD-LTE芯片下行速率提高至最高150兆/秒。
據(jù)悉，截至2011年12月，由工信部與中國移動(微博)組織的TD-LTE規(guī)模技術試驗，已完成第一階段測試，第二階段測試已經(jīng)開始布局，計劃于今年第一季度開始，目前正在選擇城市范圍，傳將增加4個城市參與TD-LTE規(guī)模技術試驗。
參與測試的大唐電信集團旗下聯(lián)芯科技透露，2011年舉行的TD-LTE第一階段測試主要是采用單模終端，而第二階段已確定普遍采用多模終端測試，這被認為是我國無線通信由3G邁向4G的重要技術驗證階段。
目前，聯(lián)芯科技等3家廠商已于12月底成功通過各項技術測試，成為首批入圍MTnet測試第二階段雙模技術驗證的芯片廠商。另兩家可能為海思和創(chuàng)毅視訊。
已知的消息是，聯(lián)芯科技采用的TD-LTE/TD-SCDMA雙模解決方案DTivy1760是單芯片雙模方案，可以支持雙模重選、自動切換功能，同時可以帶來成本的優(yōu)化和功耗的降低。
據(jù)悉，基于該方案的TD-LTE/TD-SCDMA一款雙模測試數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品LC5760也參與到MTnet內場和外場測試，已可滿足TD-LTE組網(wǎng)的各項指標要求，基本性能或達到早期商用要求。
在LTE未來的規(guī)劃上，聯(lián)芯科技表示將推出更加先進工藝的LTE芯片，可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率，更能滿足國際市場開拓需求。
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